제조업체 제품 번호:
TSM061NA03CV RGG
Product Overview
제조사:
Taiwan Semiconductor Corporation
부품 번호:
TSM061NA03CV RGG-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
재고:
12897064
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제출
TSM061NA03CV RGG 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Taiwan Semiconductor
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
66A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
19.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1136 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
44.6W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PDFN (3.1x3.1)
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
기본 제품 번호
TSM061
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
TSM061NA03CVRGGCT
TSM061NA03CV RGGDKR-DG
TSM061NA03CVRGGTR
TSM061NA03CV RGGTR
TSM061NA03CVRGGDKR
TSM061NA03CV RGGCT
TSM061NA03CV RGGCT-DG
TSM061NA03CV RGGDKR
TSM061NA03CV RGGTR-DG
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
RJK03M5DNS-00#J5
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
0
부품 번호
RJK03M5DNS-00#J5-DG
단가
0.41
대체 유형
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